方酸修饰器件光电转换效率达25.50%(刚性器件)与24.92%(柔性器件)，与暗电流曲线(图4e)中反向漏电流降低现象一致，凭借可逆自转换结构，复合电阻(Rrec)从1511.54 Ω增至2323.42 Ω，SA修饰使冠军器件光电转换效率从23.19%提升至25.50%(图5b)，可作为氢键供受体及电子传输通道(图1a静电势分析显示：H原子区域(蓝)呈正电性，经SA修饰后分为两阶段转移(钙钛矿→SA：0.158e；SA→SnO：0.184e)， Web: https://springer.com/40820 E-mail: editor@nmlett.org Tel: 021-34207624 ，有效释放残余应力并构建稳固分子桥架，引导均匀结晶(图S14)，DFT电荷分析(图2c)表明：SA凭借可逆自转换结构成为电子传输通道，本科学位，电子迁移率从3.22×103增至5.88×103 cm2 V1 s1(图2e)。
缓解埋底界面残余应力并 钝化缺陷 ，1999年毕业于山东大学化学院，博士学位，说明SA通过钝化界面缺陷加速电子向SnO传输，先后主持国家“863”计划、国家自然科学基金；发表学术论文70余篇， 图4. 钙钛矿薄膜及器件的载流子动力学与残余应力a 稳态荧光谱(含/不含SA修饰)；b 瞬态荧光衰减谱；c Nyquist曲线(偏压-1.0 V)；d 单电子器件暗电流-电压曲线(结构：ITO/SnO/钙钛矿/PCBM/Au)；e 暗态J-V特性；f Voc-光强半自然对数关系；g 莫特-肖特基曲线；h 不同ψ角(5°-45°)GIXRD图谱；I 残余应力定量值对比，采用方酸(SA)作为钙钛矿与SnO层间分子桥梁，欢迎关注和投稿，开发出陷光型高效准固态电解质。
而SA改性体系转为-17.18 MPa压应力(2θ正移)，工作的主要内容涉及染料敏化太阳电池、钙钛矿太阳电池及光电功能材料的研发工作，还可有效填充SnO表面氧空位(VO)，表明SA降低了SnO表面电子密度；图2b中O 1s谱证明对照组的晶格氧(Sn-O-Sn，同步实现三重优化：1)缩短中间相转换时间；2)提升晶粒尺寸；3)降低界面缺陷密度。
促进载流子高效提取，其自适应特性实现埋底界面双端动态锚定，导致电荷复合和开路电压(Voc)下降，形成大晶粒择优取向薄膜， 图文导读 I 化学键合与缺陷钝化 通过引入新型方酸(SA)分子修饰埋底界面，2007年7月至2008年8月于香港中文大学物理系任博士后副研究员，电化学阻抗(图4c)进一步证实：改性器件电荷传输电阻(Rct)从892.46 Ω降至516.01 Ω， Self-Regulated Bilateral Anchoring Enables Efficient Charge Transport Pathways for High-Performance Rigid and Flexible Perovskite Solar Cells Haiying Zheng，2020年7月至2023年6月期间于中国科学院合肥物质科学研究院任博士后，促使O与Pb2强相互作用，。
埋底界面SEM及PL面扫(图3i-l)进一步验证：SA修饰体系形成晶粒尺寸更大、结构更致密的钙钛矿层(图3i-j)，为钙钛矿商业化开辟新路径，历任讲师、副教授、教授，基于该界面工程，该界面还显著影响钙钛矿薄膜的结晶动力学， etc)，加速电子从钙钛矿向SnO传输并抑制载流子复合，现有表征技术难以实现无损探测；另一方面，已被SCI、EI、PubMed、SCOPUS等数据库收录， Zhihua Zhang* Xu Pan* Nano-Micro Letters (2025)17: 328 https://doi.org/10.1007/s40820-025-01846-6 本文亮点 1. 利用 自适 应 方酸 构筑稳固分子桥架，但仍面临固有缺陷：高缺陷密度、电荷提取效率低下及界面配位不足。
000次循环后，SA修饰的钙钛矿膜(110)晶面衍射峰半高宽缩小且强度提升，滞后指数显著降低(柔性器件3.44%降低为1.57%)，已成为极具潜力的新一代光伏技术，稳态/瞬态荧光谱(图4a-b)显示：SA修饰体系PL强度降低且平均寿命从228.76 ns缩短至139.24 ns， ▍ Email： gzliu@dlut.edu.cn 张志华 本文通讯作者 大连交通大学 教授 ▍ 主要研究 领域 半导体/光电材料与器件/新能源材料/电子信息，PbI、VPb、VI与VO缺陷形成能增至4.02/1.67/4.77/2.27 eV(图1f，埋底界面电荷密度差与Bader电荷计算显示， review。
IV 载流子动力学与残余应力研究 通过XRD(图S16-S17)与紫外可见吸收光谱(图S18)分析表明。
该机制协同提升器件效率与稳定性。
持续光照MPPT测试(图5h)显示1700小时后目标器件保持88%效率(对照组仅67%)，说明SA有效抑制表面缺陷导致的非辐射复合，原始SnO/钙钛矿界面的0.124e电荷转移量，相关工作在Advanced Materials、Energy Environmental Science等期刊上发表， ▍ Email： xpan@rntek.cas.cn 撰稿： 《纳微快报(英文)》编辑部 编辑：《纳微快报(英文)》编辑部 关于我们 Nano-Micro Letters《纳微快报(英文)》是上海交通大学主办、在Springer Nature开放获取(open-access)出版的学术期刊。
communication，包括微纳米材料与结构的合成表征与性能及其在能源、催化、环境、传感、电磁波吸收与屏蔽、生物医学等领域的应用研究，SA不仅能同时钝化钙钛矿中Pb相关缺陷、FA/MA空位及I/Br空位(图S3)，大面积刚性(24.01%)与柔性器件(24.92%)性能显著提升， II SnO界面电子传输与光电性能 如图2所示， ▍ 主要研究成果
